強力連合！グリワットとアンソンミ半導体連合実験室の2期が正式に建設された

10月11日午後、世界的に有名な半導体メーカーのアンソンミ半導体と行った「アンソンミ半導体連合実験室」の第2期建設が正式に完成し、交流会議が行われた。同会議には、クリワット総裁の丁永強氏、クリワット副総裁の呉良材氏、安森美半導体中国区販売総裁のRoy Chia氏らが出席した。01深交流共同発展会議では、双方は太陽光発電市場の変化、技術革新、協力の方向について深交流を行った。安森米側代表は安森米半導体の技術力を紹介し、将来的にはグリーワットとの技術協力を拡大すると表明した。丁総経理によると、古瑞ワット氏は製品の品質と科学技術の革新を生命と見なし、長期にわたって技術研究開発の革新に高い投入を堅持し、会社の製品の品質と技術はすでに国際的なトップレベルに達しており、安森美半導体との深い協力は、双方の技術的優位性と資源的優位性の相互補完と統合をさらに強化し、共に発展し、協力してウィンウィンする。02強大な連合互恵共栄は、世界をリードする分散型エネルギーソリューションプロバイダとして、グリーワットは世界に多元化された高品質な製品とサービスを提供している。インバータ内部には、IGBT、インダクタンスなどの大電流を通過する電力型デバイスが品質に極めて高い要求を持っており、インバータが長期的に安定して動作することを確保している。共同実験室の設立と建設は、IGBTなどのコア部品の実際の応用、最先端技術の突破などに支持と保障を提供することを目的としている。グリワット新エネルギー及びアンソンミ共同実験室の第一期は2018年に設立され、グリワットの研究開発センターに位置している。安森美半導体は各設備を提供し、そして古瑞ワット研究開発チームに対して深い訓練技術交流を行い、実験室でインバータにおけるIGBTの使用に対して事前予行訓練を行い、熱シミュレーション、損失テスト、電圧、電流、温度などの多方面から厳格な測定試験を行い、IGBTの品質及びインバータとの適合性を保障する。実験室は分立式IGBT評価プラットフォーム、IGBTモジュール評価プラットフォームを建設し、シミュレーション、損失、温度上昇、応力、ダブルパルス試験などを行った、SiC DIODEとSiC MOSFET評価プラットフォームは、より高周波、より高電力密度設計などに応用できる。今回の共同実験室の第2期では、安森美最適化デバイスの技術サポート、新たに増設されたオシロスコープの機能が新たにアップグレードされ、高周波コンポーネントに適している。共同実験室は資源の共有、技術開発、人材交流で深く協力し、グリーワットが業界をリードするインバータ製品を創造するために新しい技術サポートを注入する。IGBTの実用化をより正確に推進し、技術交流を推進する。安森美のより先進的な技術を用いた結晶素子及び新パッケージを採用し、IGBTなどの最先端技術の突破を実現し、より効率的に光起電力製品の開発を実現する。03未来のグリーワットとアンソンミ半導体は長年にわたって良好な協力関係を維持してきた。実験室の建設とさらなる発展と整備は、両企業がより緊密で長期的な戦略的協力関係を構築する架け橋であり、製品と科学技術の完璧な融合を実現する。将来的には、グレースワットは引き続き良質な製品を礎石として、より深い発展と革新モデルを模索し、技術の突破と革新を絶えず実現し、ブランドの影響力と核心競争力を高める。グレースワットとアンソンメステークスも、より高品質な製品を構築し、お客様に革新的で市場をリードするソリューションを提供します。