2022-10-12
Chiều 11/10, việc xây dựng "Phòng thí nghiệm liên hợp năng lượng mới Gurivat và chất bán dẫn Anseme" giai đoạn 2 giữa Gurivat và Anseme Semiconductor, nhà sản xuất chất bán dẫn nổi tiếng thế giới, đã chính thức hoàn thành và tổ chức hội nghị giao lưu. Chủ tịch Gurivat Ding Yongqiang, Phó chủ tịch Gurivat Wu Liangmate, Chủ tịch bán hàng Anseme Semiconductor Trung Quốc Roy Chia và các nhà lãnh đạo khác đã tham dự hội nghị. Tại Hội nghị giao lưu sâu sắc và cùng mưu cầu phát triển, hai bên đã tiến hành giao lưu sâu sắc về biến đổi thị trường quang điện, sáng tạo công nghệ, định hướng hợp tác. Đại diện Mỹ An Sâm đã giới thiệu thực lực kỹ thuật bán dẫn của An Sâm Mỹ, cho biết trong tương lai sẽ tăng cường hợp tác kỹ thuật với Cổ Thụy Ngõa Đặc. Tổng giám đốc Ding cho biết, Gurivat coi chất lượng sản phẩm và đổi mới khoa học và công nghệ là cuộc sống, kiên trì đầu tư cao trong thời gian dài cho nghiên cứu và phát triển sáng tạo công nghệ, chất lượng sản phẩm và công nghệ của công ty đều đã đạt đến trình độ hàng đầu quốc tế, hợp tác sâu rộng với Ansenmei Semiconductor, sẽ tăng cường hơn nữa lợi thế kỹ thuật và lợi thế tài nguyên của hai bên bổ sung và hội nhập, cùng mưu cầu phát triển, hợp tác cùng có lợi. Là nhà cung cấp giải pháp năng lượng phân tán hàng đầu thế giới, Gurivat cung cấp các sản phẩm và dịch vụ chất lượng cao đa dạng cho toàn cầu. Bên trong biến tần, tất cả các thiết bị loại công suất hiện tại cao, chẳng hạn như IGBT, cảm ứng và các yêu cầu chất lượng rất cao, để đảm bảo rằng biến tần có thể hoạt động ổn định trong một thời gian dài. Việc thành lập và xây dựng các phòng thí nghiệm chung nhằm hỗ trợ và đảm bảo cho các ứng dụng thực tế của các thành phần cốt lõi như IGBT và những đột phá trong công nghệ tiên tiến. Gurivat New Energy và Ansenmei Joint Lab Giai đoạn 1 được thành lập vào năm 2018 tại trung tâm nghiên cứu và phát triển của Gurivat. Anseme Semiconductor cung cấp tất cả các loại thiết bị và đào tạo chuyên sâu cho đội ngũ R&D Gurivat để trao đổi kỹ thuật, trong phòng thí nghiệm có thể sử dụng IGBT trong biến tần để tiến hành diễn tập trước, từ mô phỏng nhiệt, kiểm tra tổn thất, điện áp, dòng điện, nhiệt độ và nhiều khía cạnh khác để kiểm tra nghiêm ngặt, đảm bảo chất lượng IGBT và khả năng phù hợp với biến tần. Xây dựng phòng thí nghiệm Nền tảng đánh giá IGBT theo chiều dọc, Nền tảng đánh giá mô-đun IGBT để mô phỏng, mất mát, tăng nhiệt độ, căng thẳng, kiểm tra xung kép, v.v. Nền tảng đánh giá SiC Diode và SiC MOSFET có thể được áp dụng cho các thiết kế mật độ công suất cao hơn tần số cao hơn, v.v. Giai đoạn hai của phòng thí nghiệm chung lần này, Anson đã tối ưu hóa hỗ trợ kỹ thuật linh kiện, chức năng máy hiện sóng mới được nâng cấp hoàn toàn mới, thích hợp với thành phần tần số cao. Phòng thí nghiệm chung sẽ hợp tác sâu rộng trong việc chia sẻ tài nguyên, phát triển công nghệ, trao đổi tài năng để cung cấp hỗ trợ kỹ thuật mới cho việc tạo ra các sản phẩm biến tần hàng đầu trong ngành của Gurivat. Thúc đẩy chính xác hơn các ứng dụng thực tế của IGBT và thúc đẩy trao đổi công nghệ. Sử dụng các tế bào tinh thể công nghệ tiên tiến hơn của Anseme cũng như các gói mới để đạt được những đột phá trong công nghệ tiên tiến như IGBT và phát triển sản phẩm PV hiệu quả hơn. 03 Chung tay nói chuyện với đồng nghiệp trong tương lai, Cổ Thụy Ngõa Đặc và An Sâm Mỹ bán dẫn đã duy trì quan hệ hợp tác tốt đẹp trong nhiều năm qua. Việc xây dựng và hoàn thiện hơn nữa phòng thí nghiệm là cầu nối để hai doanh nghiệp thiết lập mối quan hệ hợp tác chiến lược chặt chẽ và lâu dài hơn, đạt được sự hội nhập hoàn hảo giữa sản phẩm và khoa học kỹ thuật. Trong tương lai, Gurivat sẽ tiếp tục lấy sản phẩm chất lượng làm nền tảng, khám phá mô hình phát triển và đổi mới sâu hơn, không ngừng đạt được đột phá và đổi mới công nghệ, nâng cao ảnh hưởng thương hiệu và năng lực cạnh tranh cốt lõi. Gurivat và Anseme Semiconductor cũng sẽ hợp tác để tạo ra các sản phẩm chất lượng cao hơn, cung cấp cho khách hàng các giải pháp sáng tạo và dẫn đầu thị trường hơn.
Copyright ◎ 2015-2018 深圳华倚太科技有限公司 All Rights Reserved. ICP备案号:粤ICP备16030986号

